含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-289489
公開番号（公開出願番号）：特開2008-107513
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】解像性とマスク被覆率依存性に優れ電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用なパターン形成材料。【解決手段】下式(1)で表される含窒素へテロ環を有する分子量380以上の含窒素有機化合物をクエンチャーとして含有するレジスト材料。(R1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数2〜20の2価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。R2は炭素数2〜10のカルボニル基を含んでもよいアルキレン基。R3は炭素数22〜50の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基。)【効果】含窒素有機化合物を含有するレジスト材料は、高い解像性と良好なマスク被覆率依存性を与えるものであり、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用であり、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される含窒素へテロ環を有する分子量380以上の含窒素有機化合物の1種又は2種以上をクエンチャーとして含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (8件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/038 , C07D 233/60 , C07D 295/04 , C07J 9/00 , C07J 71/00 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , C07D233/60 101 , C07D295/04 Z , C07J9/00 , C07J71/00 , H01L21/30 502R

Fターム (35件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CB52 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4C091AA02 , 4C091BB01 , 4C091CC01 , 4C091DD01 , 4C091EE07 , 4C091FF01 , 4C091GG02 , 4C091GG13 , 4C091HH01 , 4C091JJ03 , 4C091KK01 , 4C091LL01 , 4C091MM03 , 4C091NN01 , 4C091PA02 , 4C091PA06 , 4C091PB03 , 4C091QQ01 , 4C091QQ02 , 4C091QQ07 , 4C091QQ15 , 4C091RR08

引用特許：

出願人引用 (7件)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073169 出願人：日本合成ゴム株式会社

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審査官引用 (3件)

特公昭56-010320
塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-142813 出願人：信越化学工業株式会社
塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-142853 出願人：信越化学工業株式会社

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