特許
J-GLOBAL ID：200903055519295711

配線構造とこれを利用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

発明者：
チョ,ボム-ソク

チョ,ボム-ソク について

, 
ジョン,チャン-オ

ジョン,チャン-オ について


出願人/特許権者：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-556848
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513808
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ag層は銀や銀合金からなり、保護層はIZO、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されている第1信号線と、 前記第1信号線上に形成されている第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1信号線と交差している第2信号線と、 前記第1信号線及び前記第2信号線と電気的に連結されている薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタの所定の電極を露出させる第1接触孔を有する第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記薄膜トランジスタの所定の電極と連結されている画素電極と、を含み、 前記第1信号線及び第2信号線のうちの少なくとも一つは、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなる薄膜トランジスタ基板。
IPC (8件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14
FI (13件)：
H01L29/78 616U ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 330Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 349B ,  H05B33/12 E ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/90 C
Fターム (117件)：
2H092HA03 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB66 ,  2H092JB68 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA18 ,  2H092NA28 ,  2H092PA08 ,  3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007BB06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA05 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB02 ,  5C094JA13 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH22 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK05 ,  5F033KK07 ,  5F033KK14 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK20 ,  5F033KK22 ,  5F033LL01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033NN33 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033WW09 ,  5F033XX02 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F110AA03 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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