特許
J-GLOBAL ID：200903022123013998
表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126632
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005038
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する時、マスクの数を減らすことができる新たな方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、ゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、半導体パターンを形成する段階と、抵抗性接触層パターンを形成する段階と、互いに分離されて形成されており、同一層で作られたソース電極及びドレーン電極と、ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、ドレーン電極を露出させる第1接触孔を有している赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階とを含み、ソース及びドレーン電極の分離は、ソース電極及びドレーン電極の間に位置して第1厚さを有する第1部分と、第1厚さより厚い厚さを有する第2部分及び第1厚さより薄い第3部分を含む感光膜パターンを利用してソース及びドレーン電極を分離する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にゲート線及びこれと連結されたゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンを形成する段階と、前記半導体パターン上に抵抗性接触層パターンを形成する段階と、前記接触層パターン上に互いに分離されて形成されており、同一層で作られたソース電極及びドレーン電極と、前記ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線を覆って前記ドレーン電極を露出させる第1接触孔を有している赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含み、前記ソース及びドレーン電極の分離は感光膜パターンを利用した写真エッチング工程を通じて行われ、前記感光膜パターンは前記ソース電極及びドレーン電極の間に位置して第1厚さを有する第1部分と、前記第1厚さより厚い厚さを有する第2部分及び第1厚さより薄い第3部分を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (8件)：
G02F 1/1368
, G02B 5/20 101
, G02F 1/1335 505
, G09F 9/00 342
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 349
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02B 5/20 101
, G02F 1/1335 505
, G09F 9/00 342 Z
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 349 B
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 616 J
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
-
三国電子IPSTFT-LCDを2PEPで製造するプロセスを考案 TFTチャネル部分をハーフトーン露光
審査官引用 (1件)
-
三国電子IPSTFT-LCDを2PEPで製造するプロセスを考案 TFTチャネル部分をハーフトーン露光
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