特許
J-GLOBAL ID：200903098907945257
磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178417
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019464
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】MRAMにおいて、書き込み電流値の低減とビット情報の熱擾乱耐性の確保を両立させ、高い熱擾乱耐性と高い書き込み効率を実現する。【解決手段】非磁性層を狭持した二層の磁性層を有するMTJ 素子の二層の磁性層の磁化配列状態により変化する抵抗値に”0”、”1”の情報に対応させ、MTJ素子で近接配置した書き込み配線に電流を流して誘導磁束を発生させ、MTJ 素子の2つの磁性層のうちの一方の記録層の磁化方向を変化させて情報を書き込むMRAMにおいて、MTJ 素子10は、磁性層11、12の磁化方向が膜面垂直方向を向く垂直型のMTJ 素子であり、書き込み配線30は、MTJ 素子の厚さ方向に垂な方向に配設されており、発生する磁界をMTJ 素子の磁性層の磁化方向に印加し、磁性ヨーク20は、MTJ 素子を厚さ方向から狭持し、書き込み配線による発生磁界をMTJ 素子の磁性層に印加する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非磁性層を狭持した二層の磁性層を有し、磁性層の磁化方向が膜面垂直方向を向く垂直型の磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子の厚さ方向に垂直な方向に配設され、書き込み電流を流して発生する磁界を前記磁気抵抗素子の磁性層の磁化方向に印加し、前記磁気抵抗素子の2つの磁性層のうちの一方の記録層の磁化方向を変化させて情報を書き込む書き込み配線
とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L27/105
, G06K19/077
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, G11C11/15 112
, G11C11/15 120
, H01L43/08 Z
, G06K19/00 K
5B035BA03
, 5B035BB09
, 5B035CA01
, 5B035CA31
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083ZA12
, 5F083ZA14
