磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037527
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291911
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】従来の垂直磁化を用いた磁気抵抗効果素子では、記録電流磁界で記録層の磁化反転を行うことが困難である。【解決手段】記録層となる磁性層を、少なくとも軽希土類を含有する希土類-遷移金属からなる非晶質合金膜で構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子において、前記第1の磁性層は低保磁力を有し、かつ高磁気異方性エネルギーを有する強磁性体で構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/15

Fターム (4件)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034CA08

引用特許：

出願人引用 (9件)

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審査官引用 (2件)

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