特許
J-GLOBAL ID：200903031110641964

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子及びメモリセル並びにメモリ素子の記録再生方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078470
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280638
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】磁気メモリ素子などとして使用され、磁化状態が安定であるとともに情報の記録を低消費電流で安定して行うことができる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】膜面垂直方向に磁化した第1磁性層1と、第1非磁性層N1と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層2と、第2非磁性層N2と、膜面垂直方向に磁化した第3磁性層N3とを順に積層する。各非磁性層N1,N2としては、スピントンネル絶縁膜が好ましく使用される。
請求項（抜粋）：
膜面垂直方向に磁化した第1磁性層と、第1非磁性層と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層と、第2非磁性層と、膜面垂直方向に磁化した第3磁性層とが順に積層されたことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (8件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (8件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447
Fターム (14件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (7件)
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