特許
J-GLOBAL ID：200903055663351529

化学増幅型レジストパターンの形成方法

発明者：
阿部 信紀

阿部 信紀 について

, 
小澤 角栄

小澤 角栄 について


出願人/特許権者：
日本ゼオン株式会社

日本ゼオン株式会社 について


代理人 (1件)： 内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081510
公開番号（公開出願番号）：特開2002-278076
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】基板上に形成された化学増幅型レジスト膜の経時による感度や解像性などの劣化を抑制し、断面形状が矩形状で、寸法忠実性に優れるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィーにより化学増幅型レジストパターンを形成する方法において、基板上に化学増幅型レジスト膜を形成したのち、その上に、該レジスト膜の厚さ以下の厚さを有する非晶性ポリオレフィン類からなる皮膜を形成し、次いで潜像パターンの形成、該皮膜の除去及び現像処理を順次施し、化学増幅型レジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
(A)基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程、(B)上記化学増幅型レジスト膜上にフッ素置換されていてもよい非晶性ポリオレフィン類からなる皮膜を形成する工程、(C)表面に該皮膜が設けられた化学増幅型レジスト膜に電離放射線を照射して選択露光を施し、潜像パターンを形成する工程、(D)前記フッ素置換されていてもよい非晶性ポリオレフィン類からなる皮膜を除去する工程、及び(E)潜像パターンを有する化学増幅型レジスト膜を現像処理し、該潜像パターンを顕像化する工程を含むレジストパターンの形成方法であって、前記(B)工程においてレジスト膜上に形成されるフッ素置換されていてもよい非晶性ポリオレフィン類からなる皮膜の厚さが、該レジスト膜の厚さ以下であることを特徴とする化学増幅型レジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/11 501 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/11 501 ,  G03F 1/08 L ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 575
Fターム (21件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA01 ,  2H025DA02 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H095BA01 ,  2H095BB10 ,  2H095BC01 ,  2H095BC24 ,  5F046JA22
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM