接続孔の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-107692
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297281
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、エッチングによって、下層配線に通じる接続孔を絶縁膜に形成する際に、孔の側壁に再付着物が付着するのを防止して、その後の膜形成時のカバリッジ性を向上させ、多層配線プロセスの歩留りを高める。【構成】アルミニウム系金属からなる配線形成膜12を成膜後、その表面を酸化性雰囲気にさらすことなく、アルミニウム系金属の配向を引き継いで(111)配向を有するもので窒化チタンまたは窒化酸化チタンからなるエッチング停止膜13を成膜し、さらに反射防止膜14を成膜する。続いて、それらの膜をパターニングして配線15を形成する。次いで、配線15を覆う状態に絶縁膜16を成膜した後、配線15上の絶縁膜16に接続孔19を形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に、アルミニウム系金属からなる配線形成膜と窒化チタンまたは窒化酸化チタンからなるエッチング停止膜と反射防止膜とを積層して形成する第1工程と、前記配線形成膜とエッチング停止膜と反射防止膜とをパターニングして配線を形成する第2工程と、前記配線を覆う状態に絶縁膜を成膜した後、該配線上の該絶縁膜に接続孔を形成する第3工程とからなることを特徴とする接続孔の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-313184 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308326 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-026029 出願人：ヤマハ株式会社

全件表示

前のページに戻る