半導体光検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043832
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254726
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】歩留まりや信頼性に優れたハイブリッド型およびモノリシック型の半導体光検出器を提供する。【構成】シリコン基板上に形成された光電変換部とこのシリコン基板と同一または異なるシリコン基板上に形成された電荷転送素子部とが電気的に接続されてなる半導体光検出器であって、光電変換部はシリコン基板の(n11)結晶面または(mm1)結晶面に積層され、電荷転送素子部はシリコン基板の(100)結晶面に形成されてなる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成された Hg を含むII-VI 族化合物半導体の光電変換部と前記シリコン基板と同一または異なるシリコン基板上に形成された電荷転送素子部とが電気的に接続されてなる半導体光検出器であって、前記光電変換部は、nおよびmが1を含まない整数であって、前記シリコン基板の(n11)結晶面または(mm1)結晶面に積層されてなることを特徴とする半導体光検出器。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 21/20 , H01L 27/14 , H04N 5/33

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (10件)

製本装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-276815 出願人：三田工業株式会社
半導体装置形成用結晶とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016663 出願人：富士通株式会社
特開平1-143962

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