特許

J-GLOBAL ID：200903055761977142

結晶性ケイ素薄膜の製造方法

発明者： 伊原 学 ,  澤木 大悟
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  赤堀 龍吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-128620
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300028
出願日： 2006年05月02日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】Si薄膜の結晶性、特に結晶配向性を向上できる新規な結晶性Si薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、溶融冷却工程に先立って、アモルファス性薄膜及び/又は酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程とを有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法を提供する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、前記アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、 前記溶融冷却工程に先立って、前記アモルファス性薄膜の膜厚を、前記結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程と、を有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L31/04 H

Fターム (25件)：

5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CA13 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F152AA03 ,  5F152AA07 ,  5F152AA12 ,  5F152BB09 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE14 ,  5F152CE15 ,  5F152CE16 ,  5F152CE25 ,  5F152CF13 ,  5F152EE15 ,  5F152EE16 ,  5F152FF21 ,  5F152FF24 ,  5F152FF28 ,  5F152FH01 ,  5F152FH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 結晶性シリコン薄膜の製造方法及びその結晶性シリコン薄膜を使用した太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-083109   出願人：小宮山宏, 伊原学, 岩谷産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-053915
  
• 特開昭59-121829
  
• 薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053782   出願人：三菱電機株式会社
• 結晶性シリコン薄膜の製造方法及びその結晶性シリコン薄膜を使用した太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-083109   出願人：小宮山宏, 伊原学, 岩谷産業株式会社