結晶性シリコン薄膜の製造方法及びその結晶性シリコン薄膜を使用した太陽電池

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：北谷寿一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083109
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274084
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】帯域溶融再結晶法を使用してシリコン薄膜を形成するに当たり、走査速度を上げても結晶性のよい膜を形成する技術を提供する。【解決手段】耐熱性基板上に剥離用酸化シリコン薄膜層-アモルファスシリコン薄膜層の二層あるいは、剥離用酸化シリコン薄膜層-アモルファスシリコン薄膜層-凝集抑制用酸化シリコン膜層の三層を形成し、アモルファスシリコン層を帯域溶融再結晶化法によって再結晶させて結晶性シリコン薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

耐熱性基板上に剥離用酸化シリコン薄膜層、アモルファスシリコン薄膜層を形成し、アモルファスシリコン層を帯域溶融再結晶化法によって再結晶させて結晶性シリコン薄膜を得る結晶性シリコン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 M , H01L 31/04 X

Fターム (21件)：

5F051AA02 , 5F051CA13 , 5F051CB02 , 5F052AA15 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB03 , 5F052DB05 , 5F052DB07 , 5F052EA02 , 5F052EA11 , 5F052FA05 , 5F052GA01 , 5F052JA09 , 5F053AA16 , 5F053DD01 , 5F053FF02 , 5F053GG03 , 5F053LL05 , 5F053PP11

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-053782 出願人：三菱電機株式会社
シリコン薄膜太陽電池の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-214277 出願人：日本電信電話株式会社
半導体基板の製造方法,半導体装置の製造方法,及び,半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-314693 出願人：三菱電機株式会社

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