特許
J-GLOBAL ID：200903055762150411

スピンメモリ及びスピンFET

発明者：
井口 智明

井口 智明 について

, 
斉藤 好昭

斉藤 好昭 について

, 
杉山 英行

杉山 英行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-244881
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066606
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】スピン注入書き込み時の電流値が低い磁気抵抗効果素子を提案する。【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、磁化方向が固着される第1強磁性層、磁化方向が変化する第2強磁性層、及び、これらの間の第1非磁性層を有する磁気抵抗効果素子17と、第2強磁性層の磁化困難軸に対して、45°以上、90°以下の方向に延び、長手方向の一端で磁気抵抗効果素子17を挟み込む下部電極16及び上部電極18と、下部電極16の長手方向の他端に接続されるスイッチ素子14と、上部電極18の長手方向の他端に接続されるビット線20とを備え、書き込みは、第2強磁性層にスピン偏極した電子を流すと共に、下部電極16及び上部電極18から第2強磁性層に磁界を与えることにより行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が固着される第1強磁性層、磁化方向が変化する第2強磁性層、及び、これらの間の第1非磁性層を有する磁気抵抗効果素子と、前記第2強磁性層の磁化困難軸に対して、45°以上、90°以下の方向に延び、長手方向の一端で前記磁気抵抗効果素子を挟み込む下部電極及び上部電極と、前記下部電極の長手方向の他端に接続されるスイッチ素子と、前記上部電極の長手方向の他端に接続されるビット線とを具備し、書き込みは、前記第2強磁性層にスピン偏極した電子を流すと共に、前記下部電極及び前記上部電極から前記第2強磁性層に磁界を与えることにより行うことを特徴とするスピンメモリ。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115
FI (6件)：
H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 434
Fターム (49件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB13 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE06 ,  4M119EE13 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119JJ09 ,  4M119JJ16 ,  4M119KK10 ,  5F083AD01 ,  5F083ER21 ,  5F083FR01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC20 ,  5F092BC42 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD15 ,  5F092GA03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,256,223号明細書
審査官引用 (5件)
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