特許
J-GLOBAL ID：200903055773116924
分析試料の調製方法、不純物の分析方法及び高純度燐酸の調製方法ならびに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064635
公開番号（公開出願番号）：特開平9-015121
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【課題】 メモリのソフトエラーの発生を伴わない半導体装置の製造方法、そしてそれに適した高純度燐酸の調製方法ならびに分析試料の調製方法及び不純物の分析方法を提供する。【解決手段】 燐酸から被分析不純物のみを析出させてこれを分離することを特徴とする分析試料の調製方法;燐酸から被分析不純物のみを析出させてこれを分離し、そして得られた分離物を試料として分析に供することを特徴とする不純物の分析方法;精製されるべき燐酸から不純物のみを析出させてこれを分離することを特徴とする高純度燐酸の調製方法;含まれる不純物の含有量が、Pb、Bi及びPoからなる群から選ばれた放射性同位元素の含有濃度で規定して、10-3Bq/ml以下である燐酸を処理液として使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
燐酸中に含まれる放射性不純物を定量的に分析するための分析試料を調製するに当たって、前記燐酸から被分析不純物のみを析出させてこれを分離することを特徴とする、分析試料の調製方法。
IPC (6件)：
G01N 1/10
, G01N 27/26
, G01N 31/00
, G01T 1/167
, G21H 5/02
, H01L 21/304 341
G01N 1/10 D
, G01N 27/26 S
, G01N 31/00 N
, G01T 1/167 C
, G21H 5/02
, H01L 21/304 341 S
