特許
J-GLOBAL ID：200903055799785484

欠陥検査解析システム、欠陥検査解析方法及びこれに用いる管理コンピュータ

発明者：
梅村 馨

梅村 馨 について

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石黒 浩二

石黒 浩二 について

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兼岡 則幸

兼岡 則幸 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-245336
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066633
出願日： 2006年09月11日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】半導体装置製造時のウエハの欠陥検査や注目部の最終的な欠陥解析結果を含む一連の検査解析工程を高効率化することができる欠陥検査解析システム、欠陥検査解析方法及びこれに用いる管理コンピュータを提供する。【解決手段】半導体装置の製造時にウエハの欠陥を検出し原因を解析する欠陥検査解析システムにおいて、ウエハの欠陥を検出する欠陥検査装置11、得られた欠陥を分類する欠陥分類装置12、分類された欠陥のうち注目した欠陥を含む微小試料を摘出する微小試料摘出装置13、摘出された微小試料を加工して解析試料片に仕上げる微小試料加工装置14、解析試料片の形状観察又は元素分析の少なくとも一方を行なう解析装置15のうちの2つ以上の被管理装置と、これら複数の被管理装置の作業進捗状況、作業順序、処理速度、処理量を基に、システム全体の作業スケジュールを組む計算処理機16とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造時にウエハの欠陥を検出し原因を解析する欠陥検査解析システムにおいて、 前記ウエハの欠陥を検出する欠陥検査装置、前記欠陥検査装置で得られた欠陥を分類する欠陥分類装置、前記欠陥分類装置で分類された欠陥のうち注目した欠陥を含む微小試料を前記ウエハから摘出する微小試料摘出装置、前記微小試料摘出装置で摘出された微小試料を加工して解析試料片に仕上げる微小試料加工装置、及び前記微小試料加工装置で加工された解析試料片の形状観察又は元素分析の少なくとも一方を行なう解析装置のいずれかから選択された複数の被管理装置と、 これら複数の被管理装置と通信ネットワークを介して接続され、前記複数の被管理装置の作業進捗状況、作業順序、処理速度、処理量を基に、前記複数の被管理装置の作業スケジュールを組む計算処理機と を備えたことを特徴とする欠陥検査解析システム。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/02
FI (3件)：
H01L21/66 Z ,  H01L21/66 J ,  H01L21/02 Z
Fターム (9件)：
4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA04 ,  4M106CA38 ,  4M106DB05 ,  4M106DB08 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ38
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許3383574号公報
審査官引用 (7件)
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