特許
J-GLOBAL ID：200903055803060767
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311607
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154800
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 下層の層間絶縁膜の接続孔に形成したプラグ上にパッドを形成して、上層の層間絶縁膜に接続孔を形成したものでは、パッドを形成するために工程数が増大し、製造コストが高くなる。【解決手段】 基体11に形成されている導電層パターン14aを被覆する第1層間絶縁膜15がこの基体11上に形成されていて、導電層パターン14aの上方における層間絶縁膜15の上層には第1接続孔16が形成され、さらに第1接続孔16の底部より導電層パターン14aに達する状態に層間絶縁膜15には第1接続孔16よりも径の小さい第2接続孔17が形成されている。さらに第1,第2接続孔16,17の内部を埋め込む状態に導電性のプラグ18が形成されているものである。またプラグ18の上面は層間絶縁膜15の表面高さとほぼ同一高さになっている。
請求項（抜粋）：
基体に形成された導電層パターンと、前記導電層パターンを被覆するもので前記基体上に形成された層間絶縁膜と、前記導電層パターンの上方における前記層間絶縁膜の上層に形成された第1接続孔と、前記第1接続孔の底部より前記導電層パターンに達しかつ前記第1接続孔よりも径が小さいもので前記層間絶縁膜に形成された第2接続孔と、前記第1接続孔および前記第2接続孔の各内部を埋め込む状態に形成された導電性を有するプラグとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/768
H01L 27/10 621 C
, H01L 21/90 D
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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