特許
J-GLOBAL ID：200903055837318810

半導体記憶装置

発明者：
小杉 龍一

小杉 龍一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161710
公開番号（公開出願番号）：特開平10-011971
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 アクセスタイムに応じた速度で内部回路が動作するように、調整が可能な半導体記憶装置を得ることである。【解決手段】 アウトプットイネ-ブル信号OEおよびリ-ドライト信号RWに応じた信号OEBを出力するOEバッファ130、信号OEBを受け遅延制御信号DCに応じた遅延時間だけ遅らせた遅延信号を出力する遅延回路180、およびリ-ドデ-タRDおよび遅延信号を受けてデ-タDQを出力するデ-タ出力バッファ140を備える。
請求項（抜粋）：
外部から与えられる制御信号に応じてデ-タの出力を指示する出力制御信号を出力する制御信号バッファ、遅延制御信号および前記出力制御信号を受け、前記出力制御信号が出力を指示するレベルとなると前記遅延制御信号のレベルに応答した遅延時間ぶん遅れて出力を指示するレベルとなる遅延信号を出力する遅延回路、および前記遅延信号を受け、前記遅延信号が出力を指示するレベルとなると内部から読み出されたリ-ドデ-タに応じたデ-タを出力するデ-タ出力バッファを備える半導体記憶装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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