特許

J-GLOBAL ID：200903055898733712

半導体薄膜の製造方法および薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博 ,  橋本 泰宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148230
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341029
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 カルコパイライト構造半導体を用いたpn接合の接合界面の欠陥密度を低減し、前記pn接合を用いた太陽電池の変換効率、効率の均一性および再現性の向上を可能とするカルコパイライト構造半導体表面層を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 IIIb族元素の塩(例えば、InCl3)と、VIb族元素を含む有機物(例えば、CH3CSNH2)と、酸(例えば、HCl)を混合した溶液中に、Ib族とIIIb族とVIb族元素からなるカルコパイライト構造半導体(例えば、CuInSe2)を浸すことにより、このカルコパイライト構造半導体の組成とは異なるカルコパイライト構造半導体の表面層(例えば、CuInS2)を形成した。

請求項（抜粋）：

Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる半導体薄膜の表面に、IIIb族元素を含む化合物およびVIb族元素を含む化合物を溶質として含有する溶液を接触させることにより、前記表面に、前記半導体とは異なる組成を有するIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる半導体層を形成することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/368

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/368 Z ,  H01L 21/306 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-122493   出願人：矢崎総業株式会社
• 銅-インジウム-硫黄-セレン薄膜の作製方法、及び銅-インジウム-硫黄-セレン系カルコパイライト結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-190581   出願人：矢崎総業株式会社
• 薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-137668   出願人：矢崎総業株式会社
• 分散めっき法と太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-226831   出願人：矢崎総業株式会社