特許
J-GLOBAL ID：200903055915503858
半導体素子製造用蝕刻組成物及びこれを用いた蝕刻方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323159
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156053
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子製造用窒化膜の蝕刻組成物及びこの蝕刻組成物を用いた蝕刻方法を提供する。【解決手段】 燐酸及び弗酸の混合水溶液であって燐酸の濃度が50〜70重量%の蝕刻組成物が入っている蝕刻槽内に窒化膜の形成されたウェーハを投入して前記蝕刻組成物によって窒化膜を蝕刻する。この蝕刻組成物を130°C以下の低温に加熱した場合にも迅速な蝕刻が可能である。弗酸の濃度が0.005〜0.05重量%の場合、窒化膜自体の蝕刻率を上昇させるだけでなく酸化膜に対する窒化膜の選択比を非常に高く保たせる。また、本発明は燐酸及び弗酸の混合水溶液であって弗酸の濃度が0.05重量%以下の蝕刻組成物を提供する。0.05重量%以下の弗酸の添加は窒化膜自体の蝕刻率を上昇させ、また酸化膜に対する窒化膜の選択比を非常に高く保たせる。
請求項（抜粋）：
燐酸及び弗酸の混合水溶液であって燐酸の濃度が50〜70重量%であることを特徴とする半導体素子製造用窒化膜の蝕刻組成物。
引用特許：
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