特許
J-GLOBAL ID：200903055948788432

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
大塚 渉

大塚 渉 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107807
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303948
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 配線層に銅配線を用いた場合に必要となる拡散防止膜やハードマスク層によって生じる光電変換素子への入射光の減衰を防止し、感度や画質等の特性を向上する。【解決手段】 MOSトランジスタ等を形成した非光電変換領域300Bには、銅配線による第1配線層306Bの上層に拡散防止膜307が形成され、同じく銅配線による配線層310Bの上層に拡散防止膜312が形成されている。また、第2層間絶縁膜308の上にエッチングストッパ用のハードマスク層309が形成されている。一方、フォトダイオード304を形成した光電変換領域300Aでは、拡散防止膜307、312やハードマスク層309が除去され、フォトダイオード304の光学特性を向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と前記光電変換素子で生成した信号電荷を読み出す読み出し回路とを含む撮像部を設けるとともに、前記半導体基板の上層に前記読み出し回路の配線層を設けた固体撮像素子において、前記配線層は、少なくとも一部に銅配線を有するとともに、前記銅配線の上面を覆う拡散防止膜を有し、さらに前記拡散防止膜が少なくとも前記光電変換素子の上部領域の所定範囲で開口している、ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H04N 5/335
FI (5件)：
H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M
Fターム (41件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX25 ,  5C024GY31 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033TT01 ,  5F033XX29
引用特許：
審査官引用 (6件)
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