特許

J-GLOBAL ID：200903055993704681

積層薄膜その製造方法および電子デバイス

発明者： 野口 隆男 ,  矢野 義彦 ,  斉藤 久俊 ,  阿部 秀典
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313429
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上で、より一層特性に優れた強誘電体薄膜を含む積層薄膜、その製造方法、およびその積層薄膜を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】 Si基板上にエピタキシャル成長した積層薄膜で、酸化物薄膜を含むバッファ層を有し、前記バッファ層上に(100)または(001)配向のペロブスカイト型酸化物薄膜を有し、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜上にエピタキシャル成長した強誘電体薄膜を有する構成の積層薄膜およびその製造方法、電子デバイスとした。

請求項（抜粋）：

Si基板上にエピタキシャル成長した積層薄膜で、酸化物薄膜を含むバッファ層を有し、前記バッファ層上に(100)または(001)配向のペロブスカイト型酸化物薄膜を有し、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜上にエピタキシャル成長した強誘電体薄膜を有する積層薄膜。

IPC (6件)：

H01L 41/24 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18

FI (6件)：

C30B 29/32 D ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z

Fターム (19件)：

4G077AA03 ,  4G077BC11 ,  4G077DA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ01 ,  5F103AA01 ,  5F103DD27 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 積層薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-103826   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 配向性強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358050   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104146   出願人：三菱電機株式会社
• 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-217884   出願人：ティーディーケイ株式会社