半導体複合装置、半導体複合装置の製造方法、LEDヘッド、及び画像形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：前田実 , 山形洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-085357
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269716
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】半導体薄膜を、ボンディングにより基板に接着して形成した半導体複合装置では、ボンディングによる位置精度が低いため、半導体薄膜に形成される光学素子を設計上の所定の配列位置に形成するのが困難であった。【解決手段】 Si基板11上に形成した第1メタル層13上に、発光素子領域のp型不純物拡散領域20を複数形成した半導体薄膜14をボンディングし、このボンディング後に、半導体薄膜14を覆う遮光膜としての第2メタル層15に、例えばフォトリソグラフィ技術によって導体薄膜14の発光素子領域に対向する位置に、光を通過させる開口部15aを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に直接又は間接的に接着され、複数の光学素子を有する半導体薄膜と、前記光学素子に対向する開口部を備え、且つ前記光学素子の作用領域の一部を制限する遮蔽膜とを有することを特徴とする半導体複合装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 M

Fターム (27件)：

5F041AA03 , 5F041AA36 , 5F041AA39 , 5F041AA47 , 5F041CA02 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA36 , 5F041CA53 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA94 , 5F041CB05 , 5F041CB06 , 5F041CB25 , 5F041CB32 , 5F041DA20 , 5F041DB07 , 5F041EE12 , 5F041EE16 , 5F041FF13

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-128077 出願人：晶元光電股ふん有限公司

審査官引用 (6件)

発光ダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-037514 出願人：スタンレー電気株式会社
LEDアレイヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019224 出願人：株式会社リコー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-371769 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング

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