特許
J-GLOBAL ID:200903056127558508
成膜装置における基板保持具の表面の堆積膜の除去方法及び成膜装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
保立 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-084855
公開番号(公開出願番号):特開2000-273615
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月03日
要約:
【要約】【課題】 基板保持具に堆積した薄膜が剥離してパーティクルとなって基板に付着する問題を効果的に解決する。【解決手段】 保持爪91の表面に膜が堆積した基板保持具90は、成膜チャンバー51,52,53,54,50を含む複数の真空チャンバーを縦設した方形の搬送路80に対して真空が連通するように分岐させて設けた膜除去チャンバー70に、基板9を保持しない状態で移動する。保持具本体92に可動電極74を介して高周波電源73が接続され、膜除去チャンバー70内に高周波電界が設定される。ガス導入系72により導入されたガスに高周波放電が生じてプラズマが形成され、保持爪91の表面の堆積膜がイオン衝撃によりスパッタエッチングされて真空中で除去される。
請求項(抜粋):
真空圧力に維持される成膜チャンバー内で基板保持具により基板を保持しながら基板の表面に所定の薄膜を作成する成膜装置において、前記基板保持具を、大気側に取り出すことなく、前記成膜チャンバーに気密に接続された他の真空チャンバー内又は前記成膜チャンバー内に位置させ、その基板保持具の表面の堆積膜の除去を真空中で行うことを特徴とする基板保持具の表面の堆積膜の除去方法。
IPC (6件):
C23C 14/00
, C23C 14/34
, C23C 14/50
, C23F 4/00
, G11B 5/85
, H01L 21/203
FI (6件):
C23C 14/00 B
, C23C 14/34 Z
, C23C 14/50 Z
, C23F 4/00 Z
, G11B 5/85
, H01L 21/203 S
Fターム (26件):
4K029AA24
, 4K029BD11
, 4K029CA05
, 4K029DC28
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029FA04
, 4K029JA01
, 4K029KA03
, 4K029KA09
, 4K057DA01
, 4K057DB11
, 4K057DD10
, 4K057DE01
, 4K057DE06
, 4K057DE20
, 4K057DM35
, 4K057DM40
, 4K057DN01
, 5D112AA24
, 5D112FB21
, 5D112FB25
, 5D112KK01
, 5F103AA08
, 5F103DD30
, 5F103LL20
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
連続式成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-326725
出願人:株式会社日立製作所, 新明和工業株式会社
-
ウエハ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-122910
出願人:株式会社日立製作所
-
半導体薄膜の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-041118
出願人:三洋電機株式会社
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