特許
J-GLOBAL ID：200903056253529890

微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
岡部 一朗

岡部 一朗 について

, 
荒井 宏貴

荒井 宏貴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について

, 
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174761
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007115
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストパターンを形成する際のレジスト-基板界面におけるレジストパターンの裾引きを抑制する。【解決手段】 下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する。酸化シリコン系膜の製膜工程においては、前記酸化シリコン系の膜の表面に含まれる窒素の含有率が0.1atm%以下になるように製膜を行う。
請求項（抜粋）：
下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上に化学増幅型フォトレジストを形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジストにマスクを介して露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する微細パターンの形成方法であって、前記酸化シリコン系の膜を製膜する工程において膜表面中に含まれる窒素の含有率を0.1atm%以下にすることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3213 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31
FI (7件)：
H01L 21/88 D ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574
Fターム (50件)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025DA19 ,  2H025DA40 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045BB04 ,  5F045DC51 ,  5F045DC55 ,  5F045HA01 ,  5F045HA11 ,  5F045HA13 ,  5F046HA05 ,  5F046PA19
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM