特許
J-GLOBAL ID：200903056301063955

キャパシタ絶縁膜の形成方法、半導体記憶装置の形成方法、半導体製造装置

発明者：
池上 尚克

池上 尚克 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061233
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268663
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタ絶縁膜に凹凸を形成してキャパシタ面積を拡張することなくその容量の増加を図る場合のキャパシタ絶縁膜の形成を、簡易に行なうこと。【構成】 SiH 4 ガスを0.2Torr の圧力条件で150sccm のガス流量で30分間流しシリコン酸化膜21a 上にシリコン膜(図示せず)を形成する。ただし形成温度は575 °Cとする。この試料を真空雰囲気で600 °C程度でアニールをする。その結果、表面凹凸な粗面多結晶シリコン膜25を得る。この膜25に、砒素イオン(75As+ )を30KeV の加速エネルギーでドーズ量5×1015ion/cm2 の条件でイオンインプランテーションする。インプラ済みの膜25をエッチングマスクとして用いシリコン酸化膜21c を選択的にエッチングして凹部27を得る。凹凸形成済みのシリコン酸化膜21c 上に多結晶シリコン膜29を形成し、上記凹凸をこの膜29に転写する。シリコン酸化膜21c を除去後、膜29を窒化処理してキャパシタ絶縁膜を得る。
請求項（抜粋）：
(a)下地上に、凹凸表面を有する粗面多結晶シリコン膜を、形成する工程と、(b)該粗面多結晶シリコン膜に対しエネルギー粒子を照射する工程と、(c)エネルギー粒子の照射の済んだ前記粗面多結晶ポリシリコン膜を耐エッチングマスクとして用い、前記下地をエッチングして該下地に凹凸を形成する工程と、(d)該凹凸の形成された下地上に別途にキャパシタ絶縁膜形成用の膜を形成して該凹凸を該キャパシタ絶縁膜形成用の膜に転写してキャパシタ絶縁膜を得る工程とを含むことを特徴とするキャパシタ絶縁膜の形成方法。
IPC (5件)：
C23F 4/00 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (4件)：
H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/10 325 J
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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