絶縁ゲート型トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303836
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243960
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】十分に大きいコンダクタンスを持ち、信頼性に優れた絶縁ゲート型トランジスタおよびその作製方法。【解決手段】窒素濃度が1×1020(/cm3)以上およびハロゲン元素が含まれる窒化酸化膜をゲート絶縁膜に用いることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。ゲート絶縁膜に窒素濃度が1×1020(/cm3)以上含まれるためにp型トランジスタのゲート電極に含まれるボロンがチャネルに拡散せず、ゲート絶縁膜にパロゲン元素が含まれるため、トランジスタのコンダクタンスが増大し、ホットキャリア注入に対する信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有する絶縁ゲート型トランジスタにおいて、シリコンと酸素を成分とする前記ゲート絶縁膜は、窒素原子とハロゲン原子の両方を含むことを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (70件)：

5F001AA25 , 5F001AA42 , 5F001AA62 , 5F001AB08 , 5F001AD15 , 5F001AD62 , 5F001AF07 , 5F001AF25 , 5F001AG07 , 5F001AG17 , 5F001AG23 , 5F040DA05 , 5F040DA06 , 5F040DA10 , 5F040DA12 , 5F040DA13 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC13 , 5F040ED03 , 5F040EF01 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040EH08 , 5F040EK01 , 5F040FA07 , 5F040FA10 , 5F040FA18 , 5F040FA19 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC00 , 5F040FC14 , 5F040FC15 , 5F040FC19 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048DA19 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F083EP23 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083EP62 , 5F083EP67 , 5F083GA06 , 5F083GA30 , 5F083JA05 , 5F083JA07 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (9件)

MISトランジスタの製造方法、MISトランジスタ、半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-145239 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-129774
MOS型電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-342335 出願人：日本電気株式会社

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