半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-143014
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066493
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】低電源電圧下においても、安定かつ高速に動作する半導体記憶装置を実現する。【解決手段】ワード線(WL)の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するレベルシフト素子(PQ10)を各ワード線に対応して設ける。このレベルシフト素子は、ドライバ電源電圧を降圧して、選択ワード線上に伝達する。また、これに代えて、ワード線電圧を、メモリセルトランジスタのしきい値電圧レベルに応じてプルダウンするプルダウン素子が設けられてもよい。いずれの場合においても、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて選択ワード線電圧レベルを、別電源系統を用いることなく調整することができ、電源系統を複雑化することなく、低電源電圧下においても安定にデータの書込/読出を行うことのできる半導体記憶装置を実現することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

行列状に配列される複数のスタティック型メモリセル、各前記メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルが接続される複数のワード線、および各前記ワード線に対応して配置され、ワード線選択信号に従って対応のワード線を選択状態へ駆動する複数のワード線ドライバを備え、各前記ワード線ドライバは、ドライバ電源ノードの電圧レベルを前記ドライバ電源ノードの電圧よりも低い電圧レベルにシフトするレベルシフト素子を備え、対応のワード線の選択時、対応のワード線を該レベルシフト素子によりレベルシフトされた電圧レベルに駆動する、半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C 11/413

FI (1件)：

G11C11/34 301A

Fターム (6件)：

5B015HH01 , 5B015HH03 , 5B015JJ02 , 5B015JJ45 , 5B015KB64 , 5B015KB93

引用特許：

出願人引用 (1件)

メモリ回路およびメモリ回路を有する表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-277068 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

特開昭58-019791
半導体記憶回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-080193 出願人：日本電気株式会社
特開平2-265097

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