特許
J-GLOBAL ID：200903056326759741

半導体装置

発明者：
川崎 久夫

川崎 久夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250516
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071998
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】ゲート電極への電界集中を十分緩和でき、安定動作をさせることが可能な、フィールドプレート電極を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】上面に動作層を有する半導体基板と、この半導体基板の前記動作層の上に設けられたソース電極、ドレイン電極、及びこれらのソース電極とドレイン電極の間に設けられたゲート電極と、このゲート電極と前記ドレイン電極の間に堆積された絶縁膜上に設けられるフィールドプレート電極を備え、前記ゲート電極は少なくともその一部を前記動作層中に設けられたゲートリセス内に設けられ、前記フィールドプレート電極は、前記ゲート電極から所定距離離れて少なくともその一部を前記動作層に設けられたフィールドプレートリセス内に設けられた半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
上面に動作層を有する半導体基板と、 この半導体基板の前記動作層の上に設けられたソース電極、ドレイン電極、及びこれらのソース電極とドレイン電極の間に設けられたゲート電極と、このゲート電極と前記ドレイン電極の間に堆積された絶縁膜上に設けられるフィールドプレート電極を備え、 前記ゲート電極は少なくともその一部を前記動作層中に設けられたゲートリセス内に設けられ、前記フィールドプレート電極は、前記ゲート電極から所定距離離れて少なくともその一部を前記動作層に設けられたフィールドプレートリセス内に設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06
FI (2件)：
H01L29/80 B ,  H01L29/06 301F
Fターム (11件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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