特許
J-GLOBAL ID：200903074899282212

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
按田 義治

按田 義治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426630
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191022
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 パワーアンプ用途等に適し、再現性に優れたダブルリセス構造を有した電界効果トランジスタを実現する。【解決手段】 エッチング選択比の異なるAlGaAs層9,InGaP層8を用いることにより2段目のリセスの深さをAlGaAs層9の膜厚によって一意的に決定でき、ダブルリセス構造を再現性よく形成することができるとともに、ゲート電極14の両脇表面をAlGaAs層9とすることによりパワーアンプ用途等に適した高耐圧なデバイスを実現することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたInGaPからなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され開口を有するAlGaAsからなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成され前記第2の半導体層の開口領域を含みかつより広い領域の開口を有するキャップ層と、前記キャップ層の開口の内側の前記第2の半導体層上に形成されかつ前記第2の半導体層の開口に埋め込まれたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記キャップ層上に形成されたソース電極およびドレイン電極とを備えた電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/50 J ,  H01L29/48 D
Fターム (49件)：
4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB16 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH05 ,  4M104HH14 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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