半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035083
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218130
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】表面欠陥が生じにくく信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は,ショットキ層118と,ショットキ層を覆うキャップ層120と,キャップ層を貫通しショットキ層に到達する下部構造152と,下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層上に乗り上げる上部構造154との2段構造を有するショットキ電極とを含むことを特徴とする。かかる構成によれば,化学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われるとともに,表面欠陥が生じやすい,ショットキ層/キャップ層とショットキ電極との境界領域についても,ショットキ電極の上部構造により,覆われるので,表面欠陥が生じにくく,したがって高い信頼性を有する半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

無添加のアルミガリウム砒素からなるショットキ層と,前記ショットキ層を覆うキャップ層と,前記キャップ層を貫通し前記ショットキ層の深さ方向の一部にまで到達する下部構造と,前記下部構造よりも拡大した断面を有し前記キャップ層上に乗り上げる上部構造との2段構造を有するショットキ電極と,を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/58 Z , H01L 29/44 S

Fターム (34件)：

4M104AA05 , 4M104CC03 , 4M104EE01 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG12 , 4M104HH16 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GN08 , 5F102GQ03 , 5F102GR03 , 5F102GR04 , 5F102GR06 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC16 , 5F102HC19 , 5F102HC29

引用特許：

審査官引用 (11件)

電界効果トランジスタ,及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249534 出願人：三菱電機株式会社
エッチング方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055492 出願人：株式会社日立製作所
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153175 出願人：松下電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る