窒化物半導体レ-ザ素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361742
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082867
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【目的】劈開により活性層の端面に共振面が形成された窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】窒化物半導体レーザのリッジを形成する際、そのリッジを窒化物半導体のM面と平行に形成し、このリッジに対して垂直にA面で劈開することにより共振面を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体よりなる基板上にレーザ素子の構造を積層した後、その基板を【外1】【外2】【外3】【外4】【外5】【外6】面内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ素子の光共振面を作製することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/323 , H01S 5/10 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 673 , H01S 3/18 640 , H01L 33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA14 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F073AA13 , 5F073CB02 , 5F073DA32

引用特許：

審査官引用 (4件)

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