特許
J-GLOBAL ID：200903056352867510
シリコン単結晶インゴットの欠陥分布の識別方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147362
公開番号（公開出願番号）：特開2003-335599
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：
【要約】【課題】 インゴットに固溶する酸素が高濃度であってもインゴット内の領域[Pv]と領域[V]の境界を簡便に識別する。【解決手段】 シリコン融液から引上げ速度を変えて引上げられたインゴットを軸方向にスライスして、領域[V]〜領域[I]を含む第1及び第2サンプルを作製する。サンプルの酸素濃度を測定し、1.2×1018atoms/cm3以上のとき第1サンプルを窒素又は酸化性雰囲気下、800°Cで4時間熱処理し、引き続き1000°Cで16時間熱処理する。第1サンプル全体における再結合ライフタイムを測定し、領域[Pi]と領域[I]の境界を規定する。第2サンプルを酸化性雰囲気下、1100〜1200°Cで1〜4時間熱処理し、サンプルを選択エッチングし、光学顕微鏡で観察してOISF領域を識別することにより、領域[V]と領域[Pv]の境界を規定する。
請求項（抜粋）：
(a) シリコン融液から引上げ速度を変えて引上げられたシリコン単結晶インゴットを軸方向にスライスして、領域[V]、領域[Pv]、領域[Pi]及び領域[I]を含む第1及び第2サンプルを作製する工程と、(b) 前記第1及び第2サンプルの酸素濃度を測定する工程と、(c) 前記第1及び第2サンプルの酸素濃度がそれぞれ1.2×1018atoms/cm3(旧ASTM、以下同じ)以上のとき前記第1サンプルを窒素又は酸化性雰囲気下、800°Cで4時間第1熱処理し、引き続き1000°Cで16時間第2熱処理する工程と、(d) 前記熱処理された第1サンプル全体における再結合ライフタイムを測定する工程と、(e) 前記(d)工程の測定結果から、前記第1サンプルにおける、領域[Pi]及び領域[I]の境界を規定する工程と、(f) 前記第2サンプルを酸化性雰囲気下、1100〜1200°Cで1〜4時間第3熱処理する工程と、(g) 前記第3熱処理された第2サンプルを選択エッチングする工程と、(h) 前記選択エッチングした第2サンプルを光学顕微鏡で観察して酸化誘起積層欠陥領域(OISF)を識別する工程と(i) 前記(h)工程の観察結果から、前記第2サンプルにおける、領域[V]及び領域[Pv]の境界を規定する工程とを含むシリコン単結晶インゴットの欠陥分布の識別方法。但し、領域[V]は空孔型点欠陥が優勢であって過剰な空孔が凝集した欠陥を有する領域、領域[Pv]は空孔型点欠陥が優勢であって空孔が凝集した欠陥を有しない領域、領域[Pi]は格子間シリコン型点欠陥が優勢であって格子間シリコンが凝集した欠陥を有しない領域及び領域[I]は格子間シリコン型点欠陥が優勢であって格子間シリコンが凝集した欠陥を有する領域である。
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077GA01
, 4G077GA06
, 4G077HA12
