シリコンウェーハの熱処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328795
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134517
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 IG効果を発揮するウェーハを得る。【解決手段】格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域[I]に隣接しかつ点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域[V]に隣接しかつ前記領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、[PV]と[PI]の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.8×1018〜1.4×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるウェーハを窒素、酸素又はこれらの混合ガス雰囲気下、600〜700°Cで5〜10時間保持した後、ウェーハを酸素雰囲気下、900〜1000°Cで16時間保持する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を[I]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を[V]とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記パーフェクト領域[P]からなるインゴットから切出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの熱処理方法であって、前記領域[I]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、前記領域[V]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、前記領域[PV]と領域[PI]の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.8×1018〜1.4×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記インゴットから切出されたシリコンウェーハを窒素、酸素又はこれらの混合ガス雰囲気下、600〜700°Cで5〜10時間保持した後、前記シリコンウェーハを酸素雰囲気下、900〜1000°Cで16時間保持することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , C30B 29/06

FI (2件)：

H01L 21/322 Y , C30B 29/06 B

Fターム (5件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077FE03 , 4G077FE12

引用特許：

審査官引用 (8件)

シリコンウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084643 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-112696 出願人：株式会社東芝
半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-068192 出願人：住友金属工業株式会社

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