特許
J-GLOBAL ID:200903056383095965
対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
,
代理人 (2件):
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-317724
公開番号(公開出願番号):特開2006-124811
出願日: 2004年11月01日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】 成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット1,2を真空容器6内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に反応性膜をスパッタリングにより成膜する対向ターゲット式スパッタ装置であって、
対向する一対のターゲットと、
前記一対のターゲットの側面側に配置された基板を載置する載置台と、
前記一対のターゲット及び前記基板が収容される真空容器と、
前記ターゲットの背面に対しほぼ垂直方向に磁界を発生させる磁界発生手段と、
前記真空容器内に反応性ガスを導入するガス導入機構と、
前記一対のターゲットに電力を印加する電源と、
前記ターゲットから発生する発光を読み取るプラズマ・エミッション・モニタと、
前記電源によって前記ターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光を前記プラズマ・エミッション・モニタによって読み取り、前記発光が所定の発光量になるように前記反応性ガスの流量を制御する制御部と、
を具備することを特徴とする対向ターゲット式スパッタ装置。
IPC (4件):
C23C 14/34
, H01L 21/285
, H01L 21/31
, H01L 21/316
FI (4件):
C23C14/34 U
, H01L21/285 S
, H01L21/31 D
, H01L21/316 Y
Fターム (27件):
4K029BA48
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC32
, 4K029EA00
, 4K029EA02
, 4K029EA06
, 4M104BB30
, 4M104BB36
, 4M104DD39
, 4M104DD40
, 4M104DD42
, 5F045AA19
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB34
, 5F045BB09
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BD04
, 5F058BD10
, 5F058BD15
, 5F058BF13
, 5F058BJ03
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
-
堆積膜製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-185044
出願人:キヤノン株式会社
-
スパッタリング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-151698
出願人:キヤノン株式会社
-
成膜方法および成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-063750
出願人:三菱電機株式会社
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