特許
J-GLOBAL ID:200903056410255236
半導体チップの樹脂封止成形方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-134455
公開番号(公開出願番号):特開平11-312698
出願日: 1998年04月28日
公開日(公表日): 1999年11月09日
要約:
【要約】【目的】 BGAにおける半導体チップ105 の樹脂封止成形時に発生する静電気によって前記半導体チップ105 が静電破壊されるのを防止する。【構成】 可動型102 に設けたセット部103 と該セット部にセットされるBGAのサブストレート104 との両者間における接触・摩擦作用若しくは分離・剥離作用に基因した静電気の発生を防止する。このため、サブストレート104 に対する型締圧力を低くし、サブストレートの取出速度を低くし、サブストレートを振動分離・剥離し、圧縮ガスにてサブストレートを取り出し、前記半導体チップ105の樹脂封止成形を湿度コントロール下において行う。
請求項(抜粋):
固定型と可動型とを対向配置させた樹脂封止成形用の金型を用いて、前記金型に設けたセット部に半導体チップを装着したサブストレートを供給してセットすると共に、前記金型を型締めして前記サブストレートに装着した半導体チップを前記金型に設けたキャビティ内に嵌装し、この状態で、前記キャビティ内に溶融樹脂材料を注入充填して前記サブストレート上の半導体チップを樹脂封止成形し、更に、成形した前記樹脂封止成形品を前記金型から取り出す半導体チップの樹脂封止成形方法であって、前記金型のセット部と該金型セット部にセットされる前記サブストレートとの両者間における摩擦度合を低減させることを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形方法。
IPC (6件):
H01L 21/56
, B29C 45/14
, B29C 45/40
, B29C 45/64
, H01L 23/12
, B29L 31:34
FI (5件):
H01L 21/56 T
, B29C 45/14
, B29C 45/40
, B29C 45/64
, H01L 23/12 L
引用特許:
審査官引用 (10件)
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ICカード用モジュールの封止金型
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-165473
出願人:沖電気工業株式会社
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特開昭63-089313
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-009275
出願人:セイコーエプソン株式会社
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半導体素子の成形方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-187231
出願人:モトローラ・インコーポレイテッド
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樹脂成形用金型
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-141246
出願人:トーワ株式会社
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樹脂成形用金型
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-311232
出願人:トーワ株式会社
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特開平4-094549
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樹脂封止型半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-284814
出願人:株式会社東芝
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特開平3-193427
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特開平2-303137
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