特許
J-GLOBAL ID：200903056450904253
シリコン微小細線からなる3次元構造体、その製造方法及びそれを利用した装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151255
公開番号（公開出願番号）：特開2004-058267
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】信頼性の高い極微小なシリコン微小細線からなる、3次元構造体、その3次元構造体の製造方法及びそれを利用した装置を提供する。【解決手段】シリコン微小細線からなる3次元構造体であって、単結晶材料の結晶性を用いたウェットエッチングにより、ナノ乃至ミクロンオーダのワイヤ2を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶材料の結晶性を用いたウェットエッチングにより得られる微小なナノ乃至ミクロンオーダのワイヤから形成されることを特徴とするシリコン微小細線からなる3次元構造体。
IPC (10件)：
B82B1/00
, B81B1/00
, B81C1/00
, B82B3/00
, G01G3/16
, G01K7/16
, G01L1/10
, G01N13/16
, G01R33/02
, G12B21/08
B82B1/00
, B81B1/00
, B81C1/00
, B82B3/00
, G01G3/16
, G01K7/16 Z
, G01L1/10 Z
, G01N13/16 C
, G01R33/02 B
, G12B1/00 601D
2G017AA01
, 2G017AD02
, 2G017AD03
