特許
J-GLOBAL ID：200903056456634720

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
奥村 敏之

奥村 敏之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143179
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344089
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 発振閾値電流値が低く、信頼性が向上された窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上で、窒化物半導体からなる、クラッド層もしくはガイド層の少なくともいずれか一方に挟まれ、InおよびGaを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層6を有する、窒化物系半導体発光素子において、前記量子井戸構造活性層6が、結晶成長中におけるIn原子およびGa原子の表面移動を、量子井戸面内で一方向に対して抑制するとともにその反対方向には抑制しないようにした結晶成長により形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上で、窒化物半導体からなる、クラッド層もしくはガイド層の少なくともいずれか一方に挟まれており、InおよびGaを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層を有する、窒化物系半導体発光素子において、前記量子井戸構造活性層が、結晶成長中におけるIn原子およびGa原子の表面移動を、量子井戸面内で一方向に対して抑制するとともにその反対方向には抑制しないようにした結晶成長により形成されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/22
Fターム (15件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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