特許
J-GLOBAL ID：200903056607895253

固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法

発明者：
角 博文

角 博文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314340
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128392
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 SOI基板を用いずに半導体基板の薄膜化を可能にし、コスト低減を図った、固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板21に、表面から厚み方向に半導体基板21より硬度が大きい終端検出部22が形成され、半導体基板21が裏面からの化学機械研磨により終端検出部22が露出する位置まで薄膜化され、半導体基板21の表面に、該基板内に形成された光電変換素子PDからの信号を読み出す手段Tr1 が形成され、半導体基板21の裏面から入射光を取り込むようにして成る。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体基板に、表面から厚み方向に前記半導体基板より硬度が大きい終端検出部が形成され、 前記半導体基板が、裏面からの化学機械研磨により前記終端検出部が露出する位置まで薄膜化され、 前記半導体基板の表面に、該基板内に形成された光電変換素子からの信号を読み出す手段が形成され、前記半導体基板の裏面から入射光を取り込むようにして成る ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (23件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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