特許
J-GLOBAL ID：200903056617417279

窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板

発明者：
清見 和正

清見 和正 について

, 
藤村 勇夫

藤村 勇夫 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-147955
公開番号（公開出願番号）：特開2006-008500
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 1000°C以上の高温条件下において窒化物半導体と良好な格子整合性を有する化合物半導体元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。【解決手段】 窒化物半導体形成用ガスを導入することにより格子定数がa軸方向に0.30nmから0.36nmまで、c軸方向に0.48nmから0.58nmまでの化合物半導体元基板上に第1の窒化物半導体層を成長させ、該成長温度以下の温度で前記窒化物半導体形成用ガスに含まれている反応性ガスと前記元基板とを反応させて前記元基板を除去し、さらに前記第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体形成用ガスを導入することにより格子定数がa軸方向に0.30nmから0.36nmまで、c軸方向に0.48nmから0.58nmまでの化合物半導体元基板の一方の面上に第1の窒化物半導体層を温度T1でエピタキシャル成長させて、元基板及び第1の窒化物半導体層を有する下地層を形成する下地層形成工程と、 温度T1以下の温度T2において、前記窒化物半導体形成用ガスに含まれている反応性ガスと前記元基板とを反応させることにより、前記下地層から前記元基板を除去する元基板除去工程と、 前記第1の窒化物半導体層の面上に第2の窒化物半導体層を形成する第2の窒化物半導体層形成工程とを有することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特許2003-119100号公報(請求項11〜23、[0015]〜[0023])
  • 特許第2897821号公報(請求項1、[0006])
  • III族窒化物系化合物半導体の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-221425   出願人：豊田合成株式会社
審査官引用 (4件)
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