III-V族化合物半導体製造装置及びIII-V族化合物半導体の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-057503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261026
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】厚膜のIII-V族化合物半導体を結晶成長させる場合に、反りやクラックが発生することを抑えることができる。【解決手段】所定の膜厚になるまで、III-V族化合物半導体を種基板101の表面側に製造した後、種基板101をその裏面側からエッチングガス供給管16によってエッチングガスを供給し、種基板101を除去した後、V族原料供給管14BからV族原料ガスを種基板101を除去した面に供給するので、表面荒れに起因する欠陥が抑えられ、また、荒れたGaN面と結晶性の良いGaN成長面との応力差から発生する歪みの影響が解消され、反り、クラック等の欠陥が低減されたIII-V族化合物半導体を製造することができる。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体を結晶成長させるための種基板を保持する保持手段と、III-V族化合物半導体の原料を前記種基板の表面、及び裏面に向かって吹き出す原料供給手段とを備えたIII-V族化合物半導体製造装置において、前記保持手段は、前記種基板を、前記原料供給手段に表面が対向する状態及び裏面が対向する状態に変更し得るように保持し、前記保持手段によって保持された種基板の裏面をエッチングするエッチングガス供給手段が設けられていることを特徴とするIII-V族化合物半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/3065 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D , H01L 21/20 , H01S 5/323 610 , H01L 21/302 N

Fターム (73件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EG24 , 4G077EG30 , 4G077HA02 , 5F004BB17 , 5F004BB24 , 5F004BC03 , 5F004BC08 , 5F004CA05 , 5F004CA08 , 5F004DA04 , 5F004DA20 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004DB22 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DP09 , 5F045DP14 , 5F045DP28 , 5F045DQ04 , 5F045DQ06 , 5F045EE12 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EF11 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EK06 , 5F045EM02 , 5F045EM07 , 5F045EM09 , 5F045HA13 , 5F052KA01 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB20 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (7件)

気相成長装置および気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-291557 出願人：日本電気株式会社
化合物半導体の気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-318763 出願人：日本電気株式会社
化合物半導体気相成長方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228182 出願人：日本電気株式会社

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