特許
J-GLOBAL ID：200903056677892332

半導体製造装置用部材

発明者：
高橋 佳智

高橋 佳智 について

, 
和田 宏明

和田 宏明 について

, 
宮本 太郎

宮本 太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-071181
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 高密度且つ高純度の良質な炭化ケイ素焼結体を用いて、ウエハ等の金属不純物による汚染を防止することができ、生産性が良好で製造コストが低く、且つ、耐久性、耐溶剤性に優れた半導体製造装置用部材を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られた焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上である炭化ケイ素焼結体を用いることを特徴とする。この炭化ケイ素焼結体は、比抵抗が1Ω・cm以下であり、熱伝導率が200W/m・k以上であり、不純物元素の総含有量が1ppm未満であることが好ましい。また、半導体製造装置用部材は組立式のものであってもよい。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られた焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上である炭化ケイ素焼結体を用いたことを特徴とする半導体製造装置用部材。
IPC (6件)：
C04B 35/626 ,  C04B 35/573 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68
FI (6件)：
C04B 35/56 101 R ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 M ,  H01L 21/68 N ,  C04B 35/56 101 V ,  H01L 21/302 B
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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