特許
J-GLOBAL ID:200903056769641255
銅の拡散に対するバリア効果を有する誘電体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-183611
公開番号(公開出願番号):特開2004-068005
出願日: 2003年06月26日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】マイクロチップ中の微細なコンダクタトラックの生成を可能にする、マイクロチップでの使用のための高温で安定であるポリマーを提供すること。本発明は、新規なポリ-o-ヒドロキシアミドに関し、これを環化して、金属に対する良好な拡散バリア効果を有するポリベンゾオキサゾールが得られ得る。ポリ-o-ヒドロキシアミドは、伝統的技術によって半導体基板に塗布され得、そして加熱によって、単純な様式でポリベンゾオキサゾールに転換され得る。金属の拡散に対する良好なバリア効果に起因して、拡散バリアは、実質的に、半導体トラックと誘電体との間に分配され得る。【解決手段】式Iのポリ-o-ヒドロキシアミド。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
式Iのポリ-o-ヒドロキシアミド:
IPC (4件):
C08G73/22
, H01B3/30
, H01L21/312
, H01L21/768
FI (4件):
C08G73/22
, H01B3/30 C
, H01L21/312 A
, H01L21/90 S
Fターム (73件):
4J043PA02
, 4J043PA04
, 4J043PA05
, 4J043PA06
, 4J043PA08
, 4J043PA19
, 4J043PB08
, 4J043PB11
, 4J043PB14
, 4J043PB15
, 4J043PB21
, 4J043PB23
, 4J043PC015
, 4J043PC016
, 4J043PC025
, 4J043PC026
, 4J043PC046
, 4J043PC065
, 4J043PC066
, 4J043PC115
, 4J043PC116
, 4J043QB34
, 4J043RA05
, 4J043RA06
, 4J043RA07
, 4J043RA52
, 4J043SA06
, 4J043SA47
, 4J043SA71
, 4J043SA81
, 4J043SB01
, 4J043SB03
, 4J043SB04
, 4J043TA26
, 4J043TA71
, 4J043TB01
, 4J043TB03
, 4J043TB04
, 4J043UA122
, 4J043UA131
, 4J043UA151
, 4J043UA152
, 4J043UA222
, 4J043UB01
, 4J043UB061
, 4J043UB102
, 4J043UB122
, 4J043UB131
, 4J043UB132
, 4J043UB301
, 4J043VA041
, 4J043VA042
, 4J043XA16
, 4J043XB14
, 4J043YA06
, 4J043ZA42
, 4J043ZA44
, 4J043ZA45
, 4J043ZB49
, 5F033HH11
, 5F033RR21
, 5F033SS22
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F058AA10
, 5F058AC10
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH04
, 5G305AA06
, 5G305AB24
, 5G305BA09
, 5G305CA20
引用特許:
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