特許
J-GLOBAL ID：200903056771142126

半導体発光素子及び半導体発光装置

発明者：
大橋 健一

大橋 健一 について

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菅原 保晴

菅原 保晴 について

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糸永 修司

糸永 修司 について

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赤池 康彦

赤池 康彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-065589
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253298
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】 上面とこれに対向する裏面電極形成部とを有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有し、前記裏面電極形成部の周囲に粗面9が形成された基板1と、前記基板の前記上面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の上に設けられた第1の電極7と、前記裏面電極形成部に設けられた第2の電極8と、前記粗面9の少なくとも一部の上に被着された反射膜10と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
上面とこれに対向する裏面電極形成部とを有し、第1の波長帯の光に対する透光性を有し、前記裏面電極形成部の周囲に粗面が形成された基板と、 前記基板の前記上面上に設けられ、前記第1の波長帯の光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、 前記半導体積層構造の上に設けられた第1の電極と、 前記裏面電極形成部に設けられた第2の電極と、 前記粗面の少なくとも一部の上に被着された反射膜と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 A ,  H01L33/00 N
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA47 ,  5F041DA61 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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