圧電体薄膜を利用した指紋認識センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-134881
公開番号（公開出願番号）：特開2003-050103
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】圧電体薄膜に加えられた圧力を電気的信号に変換して指紋を認識する指紋認識センサを提供する。【解決手段】圧電素子集合体を含む指紋認識センサにおいて、前記各圧電素子は基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜上に形成された上部電極と、前記上部電極上に形成され、指紋が接触して圧力を加えて前記圧電体薄膜に電荷量変化を生じる加圧部と、前記下部電極上に形成されて前記加圧部を支持して露出させる非伝導層とを含む。よって、圧電現象を利用して指紋に関する情報の精密なセンシングが可能であって構造的に単純な指紋認識センサを具現でき、機密保持が要求される公共機関や一般企業での身元確認システムはもとより、携帯用に簡便な個人携帯用に広く使われうる。

請求項（抜粋）：

圧電素子集合体を含む指紋認識センサにおいて、前記圧電素子集合体は、基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜上に形成された上部電極と、前記上部電極上に形成され、指紋の接触より前記圧電体薄膜に電荷量の変化を生じさせる加圧部と、前記下部電極上に形成され、前記加圧部を露出支持する非伝導層とを含むことを特徴とする指紋認識センサ。

IPC (4件)：

G01B 7/28 , A61B 5/117 , G06T 1/00 400 , H01L 41/08

FI (4件)：

G01B 7/28 A , G06T 1/00 400 G , H01L 41/08 Z , A61B 5/10 322

Fターム (23件)：

2F063AA43 , 2F063BA29 , 2F063BB08 , 2F063BD05 , 2F063BD11 , 2F063CA11 , 2F063DA02 , 2F063DA05 , 2F063DD07 , 2F063EC03 , 2F063EC10 , 2F063EC15 , 2F063EC18 , 2F063EC20 , 2F063EC25 , 4C038FF01 , 4C038FF05 , 4C038FG00 , 5B047AA25 , 5B047BB10 , 5B047BC01 , 5B047CA04 , 5B047CA23

引用特許：

審査官引用 (9件)

指紋センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-219540 出願人：松下電器産業株式会社
表面形状認識センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-295680 出願人：株式会社東海理化電機製作所
薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-244311 出願人：ソニー株式会社

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