特許
J-GLOBAL ID：200903057075579230

発光素子

発明者：
岩田 雅年

岩田 雅年 について

, 
田崎 寛郎

田崎 寛郎 について

, 
松浦 哲也

松浦 哲也 について


出願人/特許権者：
DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-088961
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246056
出願日： 2008年03月30日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】発光素子からの一次発光によって励起される二次発光の強度を任意に制御できる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子1は、基板2と、基板2上に配設して一次発光を発光する発光層3と、基板2と発光層3との間に配設した二次発光制御層4と、二次発光制御層4上に配設する反射層5と、を含み、基板2は発光層3よりも禁制帯幅の狭い半導体でなり、発光層3からの一次発光で励起する二次発光の強度を二次発光制御層4によって制御する。二次発光制御層4をブラック反射層で形成した場合、ブラック反射層の少なくとも一つの反射膜の混晶比が間接遷移となる組成を有している。二次発光制御層4の反射ピークを基板2の発光波長に合致させた構造等に適宜調整することによって発光層3からの一次発光に対する二次発光強度比を任意に制御することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に配設されて一次発光を発光する発光層と、 上記基板と上記発光層との間に配設される二次発光制御層と、 上記二次発光制御層上に配設される反射層と、を含み、 上記基板は上記発光層よりも禁制帯幅の狭い半導体からなり、 上記発光層からの一次発光で励起される二次発光の強度が、上記二次発光制御層によって制御される、発光素子。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (12件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AG05 ,  5F173AG20 ,  5F173AH08 ,  5F173AP37 ,  5F173AP67 ,  5F173AR02 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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