特許
J-GLOBAL ID：200903041242077346

発光ダイオード及び発光ダイオードからの二次発光の制御方法

発明者：
村瀬 健一

村瀬 健一 について

, 
新木 隆司

新木 隆司 について

, 
大塚 晃

大塚 晃 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (4件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司 ,  和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-351750
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116922
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】赤色発光ダイオードからの二次発光強度を制御する。【解決手段】 発光ダイオード1において,p型GaAsの半導体基板2の上に,透過層3,p型AlGaAs活性層4,n型AlGaAsクラッド層5が順次エピタキシャル成長によって形成されている。透過層3は,Al混晶比が,p型AlGaAs活性層4よりも高い組成を有している。活性層4の厚み,及び透過層3の厚みを5〜100μmの間で調整することにより,一次発光に対する二次発光強度比を制御することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と,当該半導体基板の上に形成されたp型の活性層と,当該p型の活性層の上に形成されたn型のクラッド層とを備えた発光ダイオードにおいて, 前記p型の活性層と半導体基板との間に,前記p型活性層よりAl組成が高い透過層が形成されていることを特徴とする,発光ダイオード
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 A
Fターム (5件)：
5F041AA14 ,  5F041CA03 ,  5F041CA36 ,  5F041CB36 ,  5F041FF16
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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