特許
J-GLOBAL ID：200903057083668838

半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者：
森田 朋岳

森田 朋岳 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336172
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147591
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】半導体の真空チャックによる保持において、静電気が製品に影響することを防ぐ。【解決手段】半導体製造装置は、CMP装置から受け渡された半導体ウエハ6を支持する支持部8と、半導体ウエハ6の中心から所定の半径よりも外側の領域20のみで支持部8側から真空引きする真空引き部12とを備える。その外側の領域20は、半導体ウエハ6の製品が形成される領域21に接する領域よりも外周側に接する領域である。真空引き部12に空気を供給して吸着を解除するとき、静電気の放電が発生したとしても製品が形成されない領域であるため、製品への影響は少ない。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
CMP装置から受け渡された半導体ウエハを支持する支持部と、 前記半導体ウエハの中心から所定の半径よりも外側の領域のみで前記支持部側から真空引きする真空引き部 とを具備する 半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L21/68 P ,  H01L21/304 622L
Fターム (9件)：
5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA15 ,  5F031HA14 ,  5F031HA34 ,  5F031MA22 ,  5F031MA23 ,  5F031PA20 ,  5F031PA21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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