特許
J-GLOBAL ID:200903057090940977
摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの摩耗防止制御法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
太田 恵一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-590059
公開番号(公開出願番号):特表2002-533810
出願日: 1999年12月21日
公開日(公表日): 2002年10月08日
要約:
【要約】本発明は更新される可能性のあるデータを含む少なくとも一つの不揮発性メモリ(MA)を備えた記憶システム、とくにチップカード(1)などの記憶媒体に関するものである。本発明は、前記メモリを制御するための方法にも関するものである。本発明のシステムは、特定のデータの頻繁な更新に関連して、メモリセルの摩耗を制限するように、前記メモリ内容の全体または一部をそれぞれメモリの全体または一部の上に移動することができる前記メモリの制御手段(UT,MP)を含むことを特徴とする。発明はチップカードに応用できる。
請求項(抜粋):
更新される可能性のある情報を含む不揮発性メモリ(MA)と、このメモリの制御手段(UT,MP)とから成り、前記メモリが、ループ状に次々と使用される複数のデータ保存領域(A,B,...n)を含む、メモリの摩耗防止を保証する記憶システムであって、前記メモリ内に記録される可能性のある情報に依存せずに、メモリが複数のデータ保存領域に分割されることを特徴とするシステム。
IPC (7件):
G06F 12/00 542
, G06F 12/00 597
, G06F 12/02 570
, G06F 12/14 320
, G06F 12/16 310
, G11C 16/02
, G11C 29/00 601
FI (7件):
G06F 12/00 542 K
, G06F 12/00 597 U
, G06F 12/02 570 A
, G06F 12/14 320 A
, G06F 12/16 310 A
, G11C 29/00 601 D
, G11C 17/00 601 C
Fターム (17件):
5B017AA07
, 5B017BA01
, 5B017CA14
, 5B018GA04
, 5B018HA23
, 5B018NA06
, 5B025AD00
, 5B025AD01
, 5B025AE08
, 5B025AE10
, 5B060AA06
, 5B060AA14
, 5B082CA02
, 5B082CA05
, 5B082EA07
, 5L106AA10
, 5L106CC37
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-262796
出願人:三菱電機株式会社
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特開平3-250499
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特開平3-250499
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