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J-GLOBAL ID:200903057108655710

積層型セラミックコンデンサおよびその製造方法

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発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 皿田 秀夫 ,  米田 潤三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-190912
公開番号(公開出願番号):特開2006-013290
出願日: 2004年06月29日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がEIA規格のX8R特性(-55〜150°C、ΔC/C=±15%以内)を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく(平均寿命が長く)、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第1の希土類元素(R1)および第2の希土類元素(R2)がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第1の希土類元素(R1)の結晶粒子表面からの拡散層深さd1が結晶粒子の径Dに対して占める割合をX1(%)とし、第2の希土類元素(R2)の結晶粒子表面からの拡散層深さd2が結晶粒子の径Dに対して占める割合をX2(%)とした場合、第2の希土類元素(R2)の拡散層深さd2が第1の希土類元素(R1)の拡散層深さd1よりも深部に及んでおり、X1=10〜35%、かつX2>X1(d2>d1と同義)の関係が成立してなるように構成される。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
誘電体層と内部電極層が交互に積層された積層体の構造を備える積層型セラミックコンデンサであって、 前記誘電体層が、 チタン酸バリウムを含む主成分と、 MgO、CaO、BaO、およびSrOのグループから選択される少なくとも1種からなる第1副成分と、 酸化シリコンを主成分として含有する第2副成分と、 V2O5、MoO3およびWO3のグループから選択される少なくとも1種からなる第3副成分と、 Sc、Er、Tm、YbおよびLuのグループから選択される少なくとも1種の第1の希土類元素(R1)の酸化物からなる第4副成分と、 CaZrO3、またはCaOとZrO2の混合体(CaO+ZrO2)からなる第5副成分と、 Y、Dy、Ho、Tb、GdおよびEuのグループから選択される少なくとも1種の第2の希土類元素(R2)の酸化物からなる第6副成分と、を有し、 チタン酸バリウムを含む主成分100モルに対する、 第1副成分の含有量(モル)をy1、 第2副成分の含有量(モル)をy2、 第3副成分の含有量(モル)をy3、 第4副成分の含有量(モル)をy4、および 第5副成分の含有量(モル)をy5とした場合、 第6副成分の含有量(モル)をy6とした場合、 y1の値が、0.1〜3.0モルの範囲内にあり、 y2の値が、2〜10モルの範囲内にあり、 y3の値が、0.01〜0.5モルの範囲内にあり、 y4の値が、0.5〜7モル(但し、このモル数はR1単独での比率である)の範囲内にあり、 y5の値が、5モル以下(零を含まない)の範囲内にあり、 y6の値が、2〜9モル(但し、このモル数はR2単独での比率である)の範囲内にあり、 前記誘電体層を構成する結晶粒子に第1の希土類元素(R1)および第2の希土類元素(R2)がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第1の希土類元素(R1)の結晶粒子表面からの拡散層深さd1が結晶粒子の径Dに対して占める割合をX1(%)とし、第2の希土類元素(R2)の結晶粒子表面からの拡散層深さd2が結晶粒子の径Dに対して占める割合をX2(%)とした場合、第2の希土類元素(R2)の拡散層深さd2が第1の希土類元素(R1)の拡散層深さd1よりも深部に及んでおり、 X1=10〜35%、かつX2>X1(d2>d1と同義)の関係が成立してなることを特徴とする積層型セラミックコンデンサ。
IPC (2件):
H01G 4/12 ,  C04B 35/46
FI (3件):
H01G4/12 358 ,  H01G4/12 349 ,  C04B35/46 D
Fターム (48件):
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA07 ,  4G031GA08 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA16 ,  4G031GA17 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5G303AA01 ,  5G303AB11 ,  5G303AB14 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB37 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許:
出願人引用 (3件)

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