特許
J-GLOBAL ID：200903057115991555

面発光型半導体レーザ及びレーザアレイ

発明者：
植木 伸明

植木 伸明 について

, 
中村 毅

中村 毅 について

, 
村上 朱実

村上 朱実 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168461
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 比較的簡単な構成でレーザ光の偏光を一定方向に制御することができ、低しきい値電流、高出力を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。また、単一基板上に複数個並べて配置した各レーザ素子間で偏光特性にばらつきの無いレーザアレイを提供する。【解決手段】 半導体基板10の主面に、活性層14を挟んで上下の反射ミラー層12、18が形成され、上下の反射ミラー層12、18の少なくとも一方にその周縁部が酸化された選択酸化層16を備えた面発光型半導体レーザにおいて、半導体基板10の主面を、基準となる結晶軸を含む面に対して傾斜させ、選択酸化層16を、主面と平行な面で切断したときの外周形状が少なくとも特異点のないマクロ的に滑らかな形状の被酸化層を周縁部から酸化して形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に、活性層を挟んで上下の反射膜が形成され、該上下の反射膜の少なくとも一方に、その周縁部が酸化された選択酸化層を備えた面発光型半導体レーザにおいて、前記半導体基板の主面は基準となる結晶軸を含む面に対して傾斜しており、主面と平行な面で切断したときの外周形状が少なくとも特異点のないマクロ的に滑らかな形状の被酸化層を周縁部から酸化して、前記選択酸化層を形成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/42
FI (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/42
Fターム (12件)：
5F073AA74 ,  5F073AB02 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073EA22 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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