特許

J-GLOBAL ID：200903057182800306

交換結合膜及び磁気デバイス

発明者： 指宿 隆弘 ,  佐藤 雅重
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250737
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072014
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】従来に比べて交換結合力が高く、かつ製造が容易な交換結合膜及びその交換結合膜を備えた磁気デバイスを提供する。【解決手段】本発明に係る交換結合膜30は、Ru-Rh合金からなる非磁性層31を2つの強磁性層32a,32bで挟んだ構造を有している。本発明の交換結合膜を磁気ヘッド(読み取り素子)に適用する場合、例えば非磁性層31の厚さを0.4〜0.5nmとし、Rh含有量を5〜40at%とする。また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層31の厚さを0.4〜0.6nmとし、Rh含有量を5〜70at%とする。更に、本発明の交換結合膜をMRAMに適用する場合、非磁性層31の厚さを例えば0.3〜0.7nmとし、Rh含有量を5〜40at%とする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

非磁性層と、 前記非磁性層を挟んで配置されて磁化が反平行方向に交換結合した第1及び第2の強磁性層とを有し、 前記非磁性層がRu-Rh合金により構成されていることを特徴とする交換結合膜。

IPC (9件)：

H01L 43/10 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (8件)：

H01L43/10 ,  G11B5/66 ,  G11B5/39 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (44件)：

4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119EE26 ,  5D006BB08 ,  5D006DA03 ,  5D034BA03 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049EB03 ,  5E049EB06 ,  5F092AA11 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD06 ,  5F092BB03 ,  5F092BB05 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB66 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BE27

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-237685   出願人：株式会社東芝, 昭和電工株式会社
• スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-321801   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-264215   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 磁気検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-351771   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182337   出願人：アルプス電気株式会社